Lectio magistralis Prof. Amano, Premio Nobel per la Fisica 2014 - Bicocca, 7 aprile 2025

L'Università degli Studi di Milano-Bicocca conferirà la Laurea Magistrale honoris causa in Materials Science and Nanotechnology al professor Hiroshi Amano, fisico, ingegnere e ricercatore giapponese, Premio Nobel per la Fisica nel 2014. 

Per l'occasione, il professor Hiroshi Amano terrà una lectio magistralis, in lingua inglese, intitolata Role of New Semiconductor Materials in Realizing Net Zero Carbon and Smart Society.

L’evento si terrà il 7 aprile 2024, alle ore 10.00, presso l'Università degli Studi di Milano-Bicocca - Aula Magna - Edificio Agorà (U6) Piazza dell'Ateneo Nuovo 1 - Milano.

Nel pomeriggio ci sarà anche la possibilità di partecipare a una sessione di "Colloquio pomeridiano con il Prof. Amano". L'incontro si terrà in una sala riservata con 12 posti disponibili e rappresenta un'opportunità per un confronto diretto che permetterà di approfondire temi importanti come il progetto "Smart City" e le applicazioni delle tecnologie LED in ambito urbano.

Modalità di partecipazione

Per partecipare alla mattina è possibile iscriversi compilando il form online.

Chi fosse interessato a partecipare alla sessione ristretta pomeridiana è invitato a segnalarlo il prima possibile via e-mail a innovazione@assolombarda.it.

Hiroshi Amano - Biografia breve

Hiroshi Amano è un fisico, ingegnere e ricercatore giapponese, Premio Nobel per la Fisica nel 2014 insieme a Isamu Akasaki e Shūji Nakamura “per l’invenzione di efficienti diodi emettitori di luce blu che hanno permesso di creare sorgenti di luce bianca luminose e a risparmio energetico”.

Il professor Hiroshi Amano ha conseguito il titolo di dottore di ricerca in Ingegneria presso l’Università di Nagoya, di cui è Direttore del Center for Integrated Research of Future Electronics, e professore presso l’Institute of Materials and Systems for Sustainability.

Attualmente sta sviluppando tecnologie per la fabbricazione di semiconduttori di potenza ad alta efficienza e nuovi dispositivi di risparmio energetico presso l'Università di Nagoya.

Il tema della lectio: il ruolo dei nuovi materiali semiconduttori nella realizzazione di una società intelligente e a zero emissioni di carbonio

La lectio sottolinea la necessità di ricerca e sviluppo sui semiconduttori a gap largo (WBG) e ultra-largo (UWBG), in particolare i semiconduttori a base di nitruro di gallio (GaN), nitruro di alluminio (AlN) e le loro leghe. Sebbene il contributo del GaN e dei materiali correlati nell'illuminazione a LED sia significativo in termini di risparmio energetico, l'applicazione di questi materiali non si limita all'illuminazione: sostituire i dispositivi di potenza basati sul silicio (Si) con quelli basati sul GaN può ridurre il consumo totale di elettricità del 25%.
I dispositivi di potenza ad alta tensione basati sul GaN dovrebbero diventare i dispositivi chiave per la creazione di reti elettriche basate sulle energie rinnovabili, grazie alla loro alta efficienza, alta velocità di commutazione e alle proprietà ad alta tensione. I transistor ad alta frequenza e ad alta potenza basati sul GaN forniranno una soluzione unica per realizzare sistemi di comunicazione wireless a onde millimetriche e persino submillimetriche nel Terahertz (THz).
La lectio si concentra sui recenti sviluppi e sulle prospettive dei semiconduttori a base di azoto e dei loro dispositivi.

Contatti

Area Industria, Energia e Innovazione, e-mail innovazione@assolombarda.it, tel. 0258370.227.